VEDECOM a le plaisir de vous annoncer la soutenance de thèse de Mme Dounia OUSTAD intitulée « Étude de l’intérêt de la montée en tension du bus DC pour minimiser les pertes dans l’onduleur d’un véhicule électrique » qui aura lieu le vendredi 2 février 2018 à l’ENS Cachan.
Cette thèse est issue de la collaboration entre le SATIE et l’institut VEDECOM.

JURY
Cette soutenance a eu lieu de avant le jury :
Professeur des universités, Stéphane RAEL, Université de lorraine, Laboratoire GREEN, Rapporteur
Maître de conférences, Yvan AVENAS, Grenoble INP, Laboratoire G2ELAB, Rapporteur
Professeur des universités, Demba DIALLO, Université Paris-Sud, Laboratoire GeePs-CentraleSupelec, Examinateur
Maître de conférences, Arnaud GAILLARD, UTBM, Laboratoire Femto-ST, Examinateur
Professeur des universités, Stéphane LEFEBVRE, CNAM Paris, Laboratoire SATIE, Directeur de thèse
Maître de conférences, Mickaël PETIT, CNAM Paris, Laboratoire SATIE, Encadrant de thèse

RESUME
L’autonomie est, à l’heure actuelle, un des points les plus bloquants des véhicules électriques. Une optimisation du rendement de la chaîne de conversion est donc un objectif primordial.
La thèse s’inscrit donc dans un contexte d’efficacité énergétique et d’intégration en électronique de puissance. Il s’agira d’améliorer les rendements de conversion et la puissance massique à la fois par le choix de technologies adaptées et par la conception de structures de conversion optimisées.
Dans un premier temps, nous présentons l’impact de l’évolution de la tension de batterie HT sur le choix des technologies de composants de puissance. Différentes architectures de conversion sont également présentées et l’accent est mis sur un convertisseur en particulier : L’onduleur.
Puis, nous comparons les relevés expérimentaux à ceux qui peuvent sont fournis par des fabricants pour certains composants et dans certaines conditions de fonctionnement. Ces essais permettent également d’enrichir les données des fabricants.
Enfin, nous comparerons l’impact de la montée en tension des batteries HT sur les performances de différentes structures d’onduleurs (2 et 3 niveaux), pour différentes technologies de composants semi-conducteurs de puissance et pour différents points de fonctionnement de la machine associée.